Резонанс токов

источник

Резонанс токов (параллельный резонанс) — резонанс, происходящий в параллельном колебательном контуре при его подключении к источнику напряжения, частота которого совпадает c резонансной частотой контура.

Добротность

Добро́тность — параметр колебательной системы, определяющий ширину резонанса и характеризующий, во сколько раз запасы энергии в системе больше, чем потери энергии за время изменения фазы на 1 радиан. Обозначается символом Q (В русской литературе Д) от англ. quality factor.

Добротность обратно пропорциональна скорости затухания собственных колебаний в системе. То есть, чем выше добротность колебательной системы, тем меньше потери энергии за каждый период и тем медленнее затухают колебания.

2021 год

2021 год стал кризисным и связан с пандемией COVID-19, общество изменилось, но не стало разумнее, скорее даже наоборот потеряло остатки разума и обнажило свою незрелость и не готовность технически и практически реагировать на данную катастрофу под названием COVID-19. Казалось бы, человек 21 века, который смог освоить атомную энергию победить многие болезни и много другое, стал заложником измененного вируса гриппа.

Основные виды высоковольтных конденсаторов

источник: radio-magic.ru

В высоковольтных устройствах ни как не обойтись без высоковольтных конденсаторов. К примеру в таких устройствах как умножители напряжения, генераторах Маркса, катушек Тесла, разиличных высоковольтных импульсных установок, мощных лазеров и други устройств. Устройство таких конденсаторов отличается от устройства обычных низковольтных конденсаторов. Поскольку они должны работать в высоковольтных цепях, они довольно редки и труднодоставаемы.

Искать их в обычных магазинах радиодеталей совершенно нет смысла, лучше место для поиска это радиорынки, частные объявления в интернете и магазины для промышленного оборудования.

Дональд Смит - Тесла симпозиум 1996г. РУС

IRF840PBF, Транзистор, N-канал 500В 8.0А

 
IRF840PBF является N-канальным HEXFET® силовым МОП-транзистором 400В третьего поколения, который обеспечивает разработчика лучшим сочетанием быстрого переключения, прочностью исполнения и низкого сопротивления в активном состоянии. Корпус универсально предпочтителен для всех коммерческих и промышленных применений при уровнях рассеиваемой мощности до 50Вт.

• Динамический dV/dt
• Повторяющиеся лавинные характеристики
• Рабочая температура 175°C
• Простое параллельное подключение
• Требования простого привода

Технические параметры

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	8
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.85 ом при 4.8a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	125
Крутизна характеристики, S	4.9
Корпус	to220ab
Пороговое напряжение на затворе	4
Вес, г	2.5

IGBT транзистор

источник: go-radio.ru

Биполярный транзистор с изолированным затвором

В современной силовой электронике широкое распространение получили так называемые транзисторы IGBT. Данная аббревиатура заимствована из зарубежной терминологии и расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, а на русский манер звучит как Биполярный Транзистор с Изолированным Затвором. Поэтому IGBT транзисторы ещё называют БТИЗ.

БТИЗ представляет собой электронный силовой прибор, который используется в качестве мощного электронного ключа, устанавливаемого в импульсные источники питания, инверторы, а также системы управления электроприводами.